ICS29.045 H83 中华人民共和国国家标准 GB/T30854—2014 LED发 光用氮化镓基外延片 GalliumnitridebasedepitaxiallayerforLEDlighting 2014-07-24发布 2015-04-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布 前 言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC2)共同提出并归口。 本标准起草单位:中国科学院半导体研究所。 本标准主要起草人:魏学成、赵丽霞、王军喜、曾一平、李晋闽、提刘旺。 ⅠGB/T30854—2014 LED发光用氮化镓基外延片 1 范围 本标准规定了LED发光用氮化镓基外延片(以下简称外延片)的要求、检验方法和规则以及标志、 包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。 本标准适用于LED发光用氮化镓基外延片。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T191 包装储运图示标志 GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T14140 硅片直径测量方法 GB/T14142 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T14844 半导体材料牌号表示方法 SJ/T11399 半导体二极管芯片测试方法 3 术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 4 要求 4.1 分类 外延片包括LED全结构外延片和按导电类型分为n型和p型两种类型的单层氮化镓外延片(外延 厚度超过100μm通常称为氮化镓单晶)。 4.2 牌号 外延片牌号表示按照GB/T14844的规定。 4.3 规格 外延片直径主要分为Φ50.8mm、Φ76.2mm、Φ100mm、Φ150mm4种规格,或由供需双方商定。 1GB/T30854—2014 4.4 LED全结构外延片 4.4.1 外形几何尺寸 全结构外延片外形几何尺寸应符合表1的规定。 表1 单位为毫米 项目要求 Φ50.8 Φ76.2 Φ100 Φ150 直径 50.8±0.2 76.2±0.2 100±0.2 150±0.2 参考面尺寸 16.0±1.0 24.0±1.0 32.0±1.0 48.0±1.0 中心点厚度 0.43±0.03 0.52±0.03 0.65±0.03 1.30±0.03 厚度不均匀性 ≤0.02 ≤0.03 ≤0.05 ≤0.08 弯曲度 ≤0.04 ≤0.05 ≤0.06 ≤0.08 翘曲度 ≤0.04 ≤0.05 ≤0.06 ≤0.08 注:当客户对外延片几何尺寸有特殊要求时由供需双方在合同中确定。 4.4.2 表面质量 全结构外延片的表面质量应符合表2的规定。 表2 项目 测试条件要求 Φ50.8mm Φ76.2mm Φ100mm Φ150mm 六角缺陷 (直径≥300μm) (直径<300μm)200X 0个/片 20个/片0个/片 30个/片0个/片 40个/片0个/片 60个/片 细凹坑 (直径≥20μm) (直径<20μm)200X 0个/片 100个/片0个/片 150个/片0个/片 200个/片0个/片 300个/片 细痕 (长度≥5mm) (长度<5mm)50X 0个/片 3个/片0个/片 5个/片0个/片 10个/片0个/片 20个/片 白点 (长度≥3mm) (长度<3mm)50X 0个/片 20个/片0个/片 30个/片0个/片 40个/片0个/片 60个/片 注:当客户对外延片表面质量有特殊要求时由供需双方在合同中确定。 4.4.3 发光波长及波长均匀性 4.4.3.1 发光波长 全结构外延片的发光波长,紫外波段(包括紫光)在200nm~430nm,蓝光波段在430nm~ 2GB/T30854—2014