ICS29.045 H83 中华人民共和国国家标准 GB/T30856—2014 LED外 延芯片用砷化镓衬底 GaAssubstratesforLEDepitaxialchips 2014-07-24发布 2015-04-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布 前 言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC2)共同提出并归口。 本标准主要起草单位:中国科学院半导体研究所、有研光电新材料有限公司、云南中科鑫圆晶体材 料有限公司。 本标准主要起草人:赵有文、提刘旺、林泉、于洪国、惠峰、赵坚强。 ⅠGB/T30856—2014 LED外延芯片用砷化镓衬底 1 范围 本标准规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底片(以下简称衬底)的要求、检验方法和规则以及标 志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。 本标准适用于LED外延芯片用的砷化镓单晶衬底。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T191 包装储运图示标志 GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜层电阻测试方法 非接触涡流法 GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T6621 硅片表面平整度测试方法 GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T8760 砷化镓单晶位错密度的测量方法 GB/T13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T14140 硅片直径测量方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T14844 半导体材料牌号表示方法 SEMIM9.7-0200 直径150mm砷化镓单晶圆形抛光片(切口)规范 3 术语和定义 GB/T14264 界定的术语和定义适用于本文件。 4 要求 4.1 分类 砷化镓衬底按导电类型分为n型和p型两种类型。 4.2 牌号 砷化镓衬底牌号表示按GB/T14844的规定。 1GB/T30856—2014 4.3 规格 砷化镓衬底按直径分为Φ50.8mm、Φ76.2mm、Φ100mm、Φ150mm4种规格,或由供需双方商定。 4.4 电学性能 砷化镓衬底的电学性能应符合表1的规定。 表1 序号 项目要求 n p 1 电阻率/(Ω·cm) 0.01~1×10-30.1~3×10-3 2 迁移率/[cm2/(V·s)] ≥1000 ≥40 3 载流子浓度/cm-31×1017~4×10185×1017~5×1019 4.5 表面晶向及晶向偏离 砷化镓衬底的表面晶向为<100>,晶向偏离不大于0.5°(当客户对晶向参数有特殊要求时由供需 双方在合同中确定)。 4.6 位错密度 砷化镓衬底的位错密度应符合表2的规定。 表2 项目要求 Φ50.8mm Φ76.2mm Φ100mm Φ150mm 位错密度/(个/cm2) ≤2×103≤4×103≤5×103≤1×104 注:当客户对晶体位错密度参数和位错类型及分布有特殊要求时由供需双方在合同中确定。 4.7 表面质量 在砷化镓衬底表面边缘2mm范围内无划痕、崩边、桔皮和裂缝。在整个表面无沾污、溶剂残留物、 蜡残留物或按合同规定。 4.8 参考面的取向、形状和尺寸 4.8.1 Φ50.8mm(Φ2″)、Φ76.2mm(Φ3″)、Φ100mm(Φ4″)砷化镓衬底参考面的取向、形状和长度应符 合表3的规定。 2GB/T30856—2014